IGZO靶材
传统的非晶硅面板结构无法实现高可靠性和高清面板图像，而氧化物靶材作为氧化物半导体IGZO的基础材料，使这些变成了可能。三井金属已成功量产了大型靶材，并提供多种组成配比的产品以满足客户需求。而且，制造方法和ITO靶材同样，采用三井金属独特的MMF方法。
*三井金属也可提供圆柱形靶材。
（特性值请参考圆柱靶页）
*三井金属也可提供圆柱形靶材。
（特性值请参考圆柱靶页）
用途
平板显示、触摸屏应用
特性值
| 规格 | 单位 | 备注 | ||
|---|---|---|---|---|
| 配比*1 | In | 1 | at ratio | - |
| Ga | 1 | - | ||
| Zn | 1 | - | ||
| 纯度 | IGZO | ≧99.99 | % | - |
| 相对密度 | ≥99.5 | % |
- |
|
*1 可制造In:Ga:Zn:O=1:1:1:4以外的各种组成。
制造工艺
采用独特的MMF™烧结制造方法制成的超高密度溅射靶材
这是我们独特的新制造方法（浆料成型技术）。
特性
- 减少nodule
- 减少particle和金属异物
- 减少异常放电（arcing）
生产据点
日本：福冈县大牟田市大字唐船2081（三池目标工厂）
台湾：台中市无锡区纬五路6号（台特股份有限公司）
